IPA65R190E6
- 發(fā)布時間：2019/1/4 10:01:49
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市宏輝電子科技有限公司
IPA65R190E6屬性
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- Infineon
IPA65R190E6描述
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220FP-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 20.2 A
Rds On-漏源導通電阻: 190 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 73 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 34 W
商標名: CoolMOS
封裝: Tube
高度: 16.15 mm
長度: 10.65 mm
系列: CoolMOS E6
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.85 mm
商標: Infineon Technologies
CNHTS: 8541210000
下降時間: 10 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 11 ns
工廠包裝數(shù)量: 500
子類別: MOSFETs
TARIC: 8541290000
典型關閉延遲時間: 112 nS
零件號別名: IPA65R190E6XKSA1 IPA65R19E6XK SP000863904
單位重量: 6 g
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公網(wǎng)安備44030402000607
