BSC039N06NS

• 發(fā)布時間：2019/1/5 10:15:05
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市宏輝電子科技有限公司

BSC039N06NS屬性

BSC039N06NS描述

FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 19A（Ta），100A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 3.9 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 36µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 27nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2000pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），69W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PG-TDSON-8
封裝/外殼 8-PowerTDFN

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