BSP315P H6327
BSP315P H6327屬性
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BSP315P H6327描述
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 1.17A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 800 毫歐 @ 1.17A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 160µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 7.8nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 160pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.8W(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PG-SOT223-4
封裝/外殼 TO-261-4,TO-261AA
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