IPB60R099C6原廠原裝現(xiàn)貨

• 發(fā)布時(shí)間：2019/1/9 10:00:22
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市宏輝電子科技有限公司

IPB60R099C6原廠原裝現(xiàn)貨屬性

IPB60R099C6原廠原裝現(xiàn)貨描述

FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 37.9A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 99 毫歐 @ 18.1A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.21mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 119nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 2660pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 278W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D²PAK（TO-263AB）
封裝/外殼 TO-263-3，D²Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

驅(qū)動(dòng)配置 低壓側(cè)
通道類型 單路
驅(qū)動(dòng)器數(shù) 1
柵極類型 N 溝道 MOSFET
電壓 - 電源 12 V ~ 18 V
邏輯電壓 - VIL，VIH 2V，2.15V
電流 - 峰值輸出（灌入，拉出） 2A，7A
輸入類型 非反相
上升/下降時(shí)間（典型值） 18ns，10ns
工作溫度 -25°C ~ 125°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 8-SOIC
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