SPP11N60CFD
- 發(fā)布時間：2019/1/9 10:28:17
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市宏輝電子科技有限公司
SPP11N60CFD屬性
- QQ議價
- 0
- Infineon
SPP11N60CFD描述
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 11A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 440 毫歐 @ 7A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 500µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 64nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1200pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 125W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO220-3-1
封裝/外殼 TO-220-3
所有產(chǎn)品保證原廠原裝環(huán)保。來電咨詢13923840661. 謝經(jīng)理
本公司經(jīng)銷品牌：原廠貨源，全新原裝！
聯(lián) 系 人： 謝先生 張小姐
聯(lián)繫手機：13923840661(謝先生)
聯(lián)系手機：13923443696(張小姐)
企業(yè)電話：0755-23095150
聯(lián)系QQ： 3406957636
聯(lián)系QQ： 2240379767
聯(lián)系QQ： 3099107720
企業(yè)郵箱：hhiw@hhicw.com
網(wǎng)站:www.hhicw.com
SPP11N60CFD相關(guān)產(chǎn)品
- SPD06N80C3
- FET 類型 N 溝道 技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°
- IR1167ASTRPBF原廠原裝現(xiàn)貨
- 驅(qū)動配置 低壓側(cè) 通道類型 單路 驅(qū)動器數(shù) 1 柵極類型 N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源 12 V ~
- IPW60R160C6
- FET 類型 N 溝道 技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°
- IPT111N20NFD
- FET 類型 N 溝道 技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°
- SPP11N80C3
- FET 類型 N 溝道 技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°
- SPP18P06PH
- FET 類型 P 溝道 技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C
- SPP18P06PH
- FET 類型 P 溝道 技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C
- SPP20N60C3
- FET 類型 N 溝道 技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°
公網(wǎng)安備44030402000607
