SPW47N60C3

• 發(fā)布時間：2019/1/9 10:44:36
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市宏輝電子科技有限公司

SPW47N60C3屬性

SPW47N60C3描述

FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 47A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 70 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 2.7mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 320nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 6800pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 415W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO247-3
封裝/外殼 TO-247-3

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