BSS138W-7-F

BSS138W-7-F屬性

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BSS138W-7-F描述

制造商: Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-323-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 50 V
Id-連續(xù)漏極電流: 200 mA
Rds On-漏源導通電阻: 3.5 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 500 mV
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 200 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1 mm
長度: 2.2 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
系列: BSS138
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Enhancement Mode Field Effect Transistor
寬度: 1.35 mm
商標: Diodes Incorporated
正向跨導 - 最小值: 100 mS
產(chǎn)品類型: MOSFET
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 20 ns
典型接通延遲時間: 20 ns
單位重量: 5 mg

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