IPW65R045C7

• 發(fā)布時(shí)間：2020/3/30 9:03:47
• 所屬類別：其他未分類 » 其他未分類
• 公    司：深圳市金嘉銳電子有限公司
• 聯(lián) 系 人：朱先生
• 

IPW65R045C7屬性

IPW65R045C7描述

制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 46 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 40 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 93 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 227 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: CoolMOS
封裝: Tube
高度: 21.1 mm
長度: 16.13 mm
系列: CoolMOS C7
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.21 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時(shí)間: 7 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 14 ns
工廠包裝數(shù)量: 240
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 82 ns
典型接通延遲時(shí)間: 20 ns
零件號別名: IPW65R045C7FKSA1 SP000929412
單位重量: 38 g

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