DMP2021UFDF-7
DMP2021UFDF-7屬性
- 特價
- 場效應(yīng)晶體管
- MOSFET P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
- 特價
- Diodes
DMP2021UFDF-7描述
DMP2021UFDF-7 MOSFET P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
制造商: Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: U-DFN2020-F-6
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 9 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 22 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 350 mV
Qg-柵極電荷: 59 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.02 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
高度: 0.6 mm
長度: 2 mm
產(chǎn)品: Enhancement Mode MOSFET
系列: DMP2021
類型: Enhancement Mode MOSFET
寬度: 2 mm
商標(biāo): Diodes Incorporated
正向跨導(dǎo) - 最小值: -
下降時間: 96 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 25 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 125 ns
典型接通延遲時間: 7.5 ns
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