STF6N65K3

• 發(fā)布時(shí)間：2020/3/28 13:21:02
• 所屬類別：三極管 » 其他三極管
• 公    司：深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
• 聯(lián) 系 人：彭小姐
• 

STF6N65K3屬性

STF6N65K3描述

STF6N65K3 MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3

制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 5.4 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.3 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V
Qg-柵極電荷: 35 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 30 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: SuperMESH
封裝: Tube
系列: STF6N65K3
晶體管類型: 1 N-Channel
商標(biāo): STMicroelectronics
下降時(shí)間: 22 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 15 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 54 ns
典型接通延遲時(shí)間: 25 ns
單位重量: 330 mg

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