SIS434DN-T1-GE3

• 發(fā)布時(shí)間：2020/3/28 13:21:02
• 所屬類別：三極管 » 其他三極管
• 公    司：深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
• 聯(lián) 系 人：彭小姐
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SIS434DN-T1-GE3屬性

SIS434DN-T1-GE3描述

SIS434DN-T1-GE3 MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 無(wú)鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-1212-8
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 35 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 40 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 52 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET, PowerPAK
封裝: Reel
高度: 1.04 mm
長(zhǎng)度: 3.3 mm
系列: SIS
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 3.3 mm
商標(biāo): Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值: 60 S
下降時(shí)間: 12 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 15 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 25 ns
典型接通延遲時(shí)間: 20 ns
零件號(hào)別名: SIS434DN-GE3

深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
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