SIHG47N60E-GE3

• 發(fā)布時間：2020/3/28 13:21:02
• 所屬類別：三極管 » 其他三極管
• 公    司：深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
• 聯(lián) 系 人：彭小姐
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SIHG47N60E-GE3屬性

SIHG47N60E-GE3描述

SIHG47N60E-GE3 MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247AC-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 47 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 64 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 148 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 357 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
系列: E
商標(biāo): Vishay / Siliconix
下降時間: 82 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 72 ns
工廠包裝數(shù)量: 500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 93 ns
典型接通延遲時間: 28 ns
單位重量: 38 g

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