SIRA14DP-T1-GE3

• 發(fā)布時(shí)間：2020/3/28 13:21:02
• 所屬類別：三極管 » 其他三極管
• 公    司：深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
• 聯(lián) 系 人：彭小姐
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SIRA14DP-T1-GE3屬性

SIRA14DP-T1-GE3描述

SIRA14DP-T1-GE3
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-SO-8
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 58 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.25 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V, - 16 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.1 V
Qg-柵極電荷: 29 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 31.2 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET, PowerPAK
封裝: Reel
高度: 1.04 mm
長度: 6.15 mm
系列: SIR
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.15 mm
商標(biāo): Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值: 65 S
下降時(shí)間: 8 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 8 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 18 ns
典型接通延遲時(shí)間: 9 ns
零件號別名: SIRA14DP-GE3
單位重量: 506.600 mg
深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
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