DMN65D8L-7

• 發(fā)布時間：2020/3/28 13:21:02
• 所屬類別：三極管 » 其他三極管
• 公    司：深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
• 聯(lián) 系 人：彭小姐
• 

DMN65D8L-7屬性

DMN65D8L-7描述

DMN65D8L-7
制造商: Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 310 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 0.87 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 540 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
系列: DMN63
晶體管類型: 1 N-Channel
商標(biāo): Diodes Incorporated
正向跨導(dǎo) - 最小值: 80 mS
下降時間: 7.3 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 2.8 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 12.6 ns
典型接通延遲時間: 2.7 ns
單位重量: 28 mg
深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
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