SUD50P10-43L-E3

• 發(fā)布時間：2020/3/28 13:21:02
• 所屬類別：三極管 » 其他三極管
• 公    司：深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
• 聯(lián) 系 人：彭小姐
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SUD50P10-43L-E3屬性

SUD50P10-43L-E3描述

SUD50P10-43L-E3
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 37.1 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 43 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 106 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 136 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET
封裝: Reel
高度: 2.38 mm
長度: 6.73 mm
系列: SUD
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 6.22 mm
商標(biāo): Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值: 38 S
下降時間: 100 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 20 ns, 160 ns
工廠包裝數(shù)量: 2000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 100 ns, 110 ns
典型接通延遲時間: 15 ns, 42 ns
單位重量: 1.440 g
深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
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