IRF840PBF
- 發(fā)布時間：2020/3/28 13:21:02
- 所屬類別：三極管 » 其他三極管
- 公 司：深圳市川藍電子科技有限公司
- 聯(lián) 系 人：彭小姐
IRF840PBF屬性
- 特價
- MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
- MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
- 特價
- Vishay
IRF840PBF描述
IRF840PBF
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220AB-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續(xù)漏極電流: 8 A
Rds On-漏源導通電阻: 850 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 63 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
系列: IRF
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: Vishay / Siliconix
正向跨導 - 最小值: 4.9 S
下降時間: 20 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 23 ns
工廠包裝數(shù)量: 50
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 49 ns
典型接通延遲時間: 14 ns
零件號別名: SIHF840-E3
單位重量: 6 g
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聯(lián)系方式
- 聯(lián)系人：彭小姐
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