SI2319DS-T1-E3

• 發(fā)布時(shí)間：2020/3/28 13:21:02
• 所屬類(lèi)別：三極管 » 其他三極管
• 公    司：深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
• 聯(lián) 系 人：彭小姐
• 

SI2319DS-T1-E3屬性

SI2319DS-T1-E3描述

SI2319DS-T1-E3
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 無(wú)鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 3.0 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 82 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 17 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.25 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET
封裝: Reel
高度: 1.45 mm
長(zhǎng)度: 2.9 mm
系列: SI2
晶體管類(lèi)型: 1 P-Channel
寬度: 1.6 mm
商標(biāo): Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值: 7 S
下降時(shí)間: 25 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 15 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類(lèi)別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 25 ns
典型接通延遲時(shí)間: 7 ns
零件號(hào)別名: SI2319DS-E3
單位重量: 8 mg
網(wǎng)站：www.cldzbest.com
TEL:+86-0755-82522939
Phone:+86-13534204020
ATTN:胡先生
QQ:2801615837
E-mail:vicky@chuanlanelectronics.com

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