SI2323DDS-T1-GE3

• 發(fā)布時(shí)間：2020/3/28 13:21:02
• 所屬類(lèi)別：三極管 » 其他三極管
• 公    司：深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
• 聯(lián) 系 人：彭小姐
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SI2323DDS-T1-GE3屬性

SI2323DDS-T1-GE3描述

SI2323DDS-T1-GE3
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 無(wú)鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 5.3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 39 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 4.5 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 400 mV
Qg-柵極電荷: 24 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.7 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET
封裝: Reel
高度: 1.45 mm
長(zhǎng)度: 2.9 mm
系列: SI2
晶體管類(lèi)型: 1 P-Channel
寬度: 1.6 mm
商標(biāo): Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值: 18 S
下降時(shí)間: 11 ns
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 22 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類(lèi)別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 52 ns
典型接通延遲時(shí)間: 24 ns
單位重量: 8 mg
網(wǎng)站：www.cldzbest.com
TEL:+86-0755-82522939
Phone:+86-13534204020
ATTN:胡先生
QQ:2801615837
E-mail:vicky@chuanlanelectronics.com

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