BUL1102E
BUL1102E屬性
- 特價
- 雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) High voltage fast switching NPN power transistor
- 雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) High voltage fast switching NPN power transistor
- 特價
- ST
BUL1102E描述
BUL1102E
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: 雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)
RoHS: 無鉛環(huán)保
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: NPN
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 450 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 12 V
最大直流電集電極電流: 4 A
Pd-功率耗散: 70 W
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: BUL1102E
封裝: Tube
高度: 15.75 mm
長度: 10.4 mm
技術: Si
寬度: 4.6 mm
商標: STMicroelectronics
集電極連續(xù)電流: 4 A
直流集電極/Base Gain hfe Min: 35 at 250 mA, 5 V, 12 at 2 A, 5 V
產(chǎn)品類型: BJTs - Bipolar Transistors
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: Transistors
單位重量: 6 g
網(wǎng)站:www.cldzbest.com
TEL:+86-0755-82522939
Phone:+86-13534204020
ATTN:胡先生
QQ:2801615837
E-mail:vicky@chuanlanelectronics.com