FDC6312P
FDC6312P屬性
- 面議
- SOT23-6
- ON
FDC6312P描述
制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SSOT-6
通道數(shù)量: 2 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 2.3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 115 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 8 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 960 mW
配置: Dual
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: PowerTrench
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1.1 mm
長度: 2.9 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
系列: FDC6312P
晶體管類型: 2 P-Channel
類型: MOSFET
寬度: 1.6 mm
商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值: 5.3 S
下降時(shí)間: 13 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 13 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 18 ns
典型接通延遲時(shí)間: 8 ns
零件號(hào)別名: FDC6312P_NL
單位重量: 30 mg