FDN302P
FDN302P屬性
- 面議
- SOT-23
- ON
FDN302P描述
制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SSOT-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續(xù)漏極電流: 2.4 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 55 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 12 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: PowerTrench
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1.12 mm
長(zhǎng)度: 2.9 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
系列: FDN302P
晶體管類型: 1 P-Channel
類型: MOSFET
寬度: 1.4 mm
商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值: 10 S
下降時(shí)間: 11 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 11 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 25 ns
典型接通延遲時(shí)間: 13 ns
零件號(hào)別名: FDN302P_NL
單位重量: 30 mg