FDD770N15A
FDD770N15A屬性
- 面議
- TO-252
- ON
FDD770N15A描述
制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續(xù)漏極電流: 18 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 61 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 8.4 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 56.8 W
配置: Single
商標(biāo)名: PowerTrench
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 2.39 mm
長度: 6.73 mm
系列: FDD770N15A
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 6.22 mm
商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值: 20 S
下降時(shí)間: 2.8 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 3.1 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 15.8 ns
典型接通延遲時(shí)間: 10.3 ns
單位重量: 260.370 mg