FDD86110

• 發(fā)布時間：2020/3/30 9:49:59
• 所屬類別：模塊 » MOSFET
• 公    司：瀚佳科技（深圳）有限公司
• 聯(lián) 系 人：李小姐
• 

FDD86110屬性

FDD86110描述

制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 12.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 10.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 25 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.1 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: PowerTrench
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 2.39 mm
長度: 6.73 mm
系列: FDD86110
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 6.22 mm
商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值: 38 S
下降時間: 3.9 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 5.4 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 19 ns
典型接通延遲時間: 12 ns
單位重量: 260.370 mg

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