FCPF400N80Z
FCPF400N80Z屬性
- 面議
- TO-220F
- ON
FCPF400N80Z描述
制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220FP-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續(xù)漏極電流: 11 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 400 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.5 V
Qg-柵極電荷: 56 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 35.7 W
配置: Single
商標名: SuperFET II
封裝: Tube
高度: 16.07 mm
長度: 10.36 mm
系列: FCPF400N80Z
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.9 mm
商標: ON Semiconductor / Fairchild
下降時間: 15 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 34 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 112 ns
典型接通延遲時間: 50 ns
單位重量: 2.270 g