FDN352AP

• 發(fā)布時(shí)間：2020/3/30 9:49:59
• 所屬類別：模塊 » MOSFET
• 公    司：瀚佳科技（深圳）有限公司
• 聯(lián) 系 人：李小姐
• 

FDN352AP屬性

FDN352AP描述

制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SSOT-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 1.3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 180 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 25 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1.12 mm
長(zhǎng)度: 2.9 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
系列: FDN352AP
晶體管類型: 1 P-Channel
類型: MOSFET
寬度: 1.4 mm
商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值: 2 S
下降時(shí)間: 15 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 15 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 10 ns
典型接通延遲時(shí)間: 4 ns
零件號(hào)別名: FDN352AP_NL
單位重量: 30 mg

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