FCMT199N60

FCMT199N60屬性

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FCMT199N60描述

制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: Power-88-4
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 20.2 A
Rds On-漏源導通電阻: 199 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V, 30 V
Qg-柵極電荷: 57 nC
最小工作溫度: - 50 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 208 W
商標名: SuperFET II
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1.1 mm
長度: 8 mm
系列: FCMT199N60
寬度: 8 mm
商標: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值: 20 S
下降時間: 5 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 64 ns
典型接通延遲時間: 20 ns
單位重量: 449.030 mg

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