FDB15N50
FDB15N50屬性
- 面議
- TO-263
- ON
FDB15N50描述
制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續(xù)漏極電流: 15 A
Rds On-漏源導通電阻: 330 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 4.83 mm
長度: 10.67 mm
系列: FDB15N50
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
寬度: 9.65 mm
商標: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值: 10 S
下降時間: 5 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 5.4 ns
工廠包裝數(shù)量: 800
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 26 ns
典型接通延遲時間: 9 ns
零件號別名: FDB15N50_NL
單位重量: 1.312 g