FDP33N25

• 發(fā)布時間：2020/3/30 8:18:07
• 所屬類別：模塊 » MOSFET
• 公    司：瀚佳科技（深圳）有限公司
• 聯(lián) 系 人：李
• 

FDP33N25屬性

FDP33N25描述

制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V
Id-連續(xù)漏極電流: 33 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 94 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 235 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
高度: 16.3 mm
長度: 10.67 mm
系列: FDP33N25
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
寬度: 4.7 mm
商標: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值: 26.6 S
下降時間: 120 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 230 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 75 ns
典型接通延遲時間: 35 ns

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