FCI7N60
- 發(fā)布時間：2020/3/30 8:18:07
- 所屬類別：模塊 » MOSFET
- 公 司：瀚佳科技（深圳）有限公司
- 聯 系 人：李
FCI7N60屬性
- 面議
- TO-262
- ON
FCI7N60描述
制造商: ON Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-262-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 7 A
Rds On-漏源導通電阻: 600 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 83 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標名: SuperFET
封裝: Tube
高度: 7.88 mm
長度: 10.29 mm
系列: FCI7N60
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.83 mm
商標: ON Semiconductor / Fairchild
下降時間: 32 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 55 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 75 ns
典型接通延遲時間: 35 ns
單位重量: 2.084 g
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聯系方式
- 聯系人：李
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