STW3N150

• 發(fā)布時間：2020/3/30 8:18:07
• 所屬類別：模塊 » MOSFET
• 公    司：瀚佳科技（深圳）有限公司
• 聯(lián) 系 人：李
• 

STW3N150屬性

STW3N150描述

制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.5 kV
Id-連續(xù)漏極電流: 2.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 9 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 29.3 nC
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 140 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標名: PowerMESH
封裝: Tube
高度: 20.15 mm
長度: 15.75 mm
系列: STW3N150
晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET
寬度: 5.15 mm
商標: STMicroelectronics
正向跨導(dǎo) - 最小值: 2.6 S
下降時間: 61 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 47 ns
工廠包裝數(shù)量: 600
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 45 ns
典型接通延遲時間: 24 ns
單位重量: 38 g

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