STP260N6F6
STP260N6F6屬性
- 特價
- TO-220
- ST
STP260N6F6描述
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 75 V
Id-連續(xù)漏極電流: 120 A
Rds On-漏源導通電阻: 2.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 183 nC
Pd-功率耗散: 300 W
配置: Single
商標名: STripFET
封裝: Tube
系列: STP260N6F6
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: STMicroelectronics
下降時間: 62.6 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 165 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
單位重量: 330 mg
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