FQA30N40
FQA30N40屬性
- TO-3P
- ON
FQA30N40描述
FQA30N40 品牌為:ON 原裝正品,假一賠十
FQA30N40 封裝為:TO-3P
FQA30N40細(xì)節(jié)圖如下:
FQA30N40 詳細(xì)參數(shù)如下:
FQA30N40 一般信息
數(shù)據(jù)列表 FQA30N40;
標(biāo)準(zhǔn)包裝 450
包裝 管件
零件狀態(tài) 有源
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列 QFET®
FQA30N40 規(guī)格
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 400V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)) 30A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值) 140 毫歐 @ 15A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值) 4400pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 290W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-3PN
封裝/外殼 TO-3P-3,SC-65-3
聯(lián)系方式:0755-83035330/ 151-1256-2036 (微信同號(hào))胡小姐
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優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品線:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、快恢復(fù)二極管、肖特基管、大功率IGBT
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