BSC120N03LS G
BSC120N03LS G屬性
- 價(jià)優(yōu)
- 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
- MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8
- 價(jià)優(yōu)
- Infineon
BSC120N03LS G描述
制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS: 無(wú)鉛環(huán)保
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TDSON-8
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:39 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:10 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
Qg-柵極電荷:15 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:28 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:OptiMOS
封裝:Reel
高度:1.27 mm
長(zhǎng)度:5.9 mm
系列:OptiMOS 3
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:5.15 mm
商標(biāo):Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值:25 S
下降時(shí)間:2.2 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:2.2 ns
工廠包裝數(shù)量:5000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:12 ns
典型接通延遲時(shí)間:2.7 ns
零件號(hào)別名:BSC120N03LS G SP000302848
單位重量:242 mg
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