SI7430DP-T1-GE3

SI7430DP-T1-GE3屬性

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SI7430DP-T1-GE3描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-SO-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續(xù)漏極電流: 26 A
Rds On-漏源導通電阻: 45 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 43 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 64 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Vishay Semiconductors
配置: Single
高度: 1.04 mm
長度: 6.15 mm
產品類型: MOSFET
系列: SI7
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
寬度: 5.15 mm
零件號別名: SI7430DP-GE3
單位重量: 506.600 mg

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