SI2305CDS-T1-GE3

• 發(fā)布時(shí)間：2021/9/18 15:38:26
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

SI2305CDS-T1-GE3屬性

SI2305CDS-T1-GE3描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 8 V
Id-連續(xù)漏極電流: 5.8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 35 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 12 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.7 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時(shí)間: 10 ns
高度: 1.45 mm
長(zhǎng)度: 2.9 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 20 ns
系列: SI2
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 40 ns
典型接通延遲時(shí)間: 20 ns
寬度: 1.6 mm
零件號(hào)別名: SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3
單位重量: 8 mg

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