FDMS86101

• 發(fā)布時(shí)間：2021/10/11 11:13:44
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：遠(yuǎn)電科技(深圳)有限公司

FDMS86101屬性

FDMS86101描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: Power-56-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 12.4 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 55 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: PowerTrench
下降時(shí)間: 7 ns
高度: 1.1 mm
長(zhǎng)度: 6 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 11 ns
系列: FDMS86101
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 27 ns
典型接通延遲時(shí)間: 15 ns
寬度: 5 mm
單位重量: 68.100 mg

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