SIHP22N60E-GE3

• 發(fā)布時(shí)間：2021/10/11 11:18:18
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

SIHP22N60E-GE3屬性

SIHP22N60E-GE3描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 21 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 180 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 57 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 227 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標(biāo): Vishay / Siliconix
配置: Single
下降時(shí)間: 35 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 27 ns
系列: E
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 66 ns
典型接通延遲時(shí)間: 18 ns
單位重量: 2 g

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