BSZ160N10NS3G

• 發(fā)布時(shí)間：2021/11/2 10:39:05
• 所屬類(lèi)別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

BSZ160N10NS3G屬性

BSZ160N10NS3G描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 14 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 25 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 63 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 5 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 16 S
高度: 1.1 mm
長(zhǎng)度: 3.3 mm
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 10 ns
系列: OptiMOS 3
5000
子類(lèi)別: MOSFETs
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 22 ns
典型接通延遲時(shí)間: 13 ns
寬度: 3.3 mm
零件號(hào)別名: SP000482390 BSZ16N1NS3GXT BSZ160N10NS3GATMA1
單位重量: 38.760 mg

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產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似  制造商: Infineon   產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET   RoHS: 詳細(xì)信息  

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產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似  制造商: Infineon   產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET   RoHS: 詳細(xì)信息  

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產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似  制造商: Infineon   產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET   RoHS: 詳細(xì)信息  

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產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似  制造商: Infineon   產(chǎn)品種類(lèi): 門(mén)驅(qū)動(dòng)器   RoHS: 詳細(xì)信息   產(chǎn)品

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產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似  制造商: Infineon   產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET   RoHS: 詳細(xì)信息  

IRF9530NSTRLPBF

  產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類(lèi)似  制造商: Infineon   產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET   技術(shù): Si