IRFP4668PBF
- 發(fā)布時間：2021/11/2 10:33:43
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市騰樁電子有限公司
IRFP4668PBF屬性
- IRFP4668PBF
- INFINEON
IRFP4668PBF描述
產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續(xù)漏極電流: 130 A
Rds On-漏源導通電阻: 9.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
Qg-柵極電荷: 161 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 520 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Infineon / IR
配置: Single
下降時間: 74 ns
正向跨導 - 最小值: 150 S
高度: 20.7 mm
長度: 15.87 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 105 ns
25
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 64 ns
典型接通延遲時間: 41 ns
寬度: 5.31 mm
零件號別名: IRFP4668PBF SP001572854
單位重量: 6 g
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公網(wǎng)安備44030402000607
