IPA80R1K0CE

• 發(fā)布時間：2021/11/1 11:34:14
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

IPA80R1K0CE屬性

IPA80R1K0CE描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續(xù)漏極電流: 5.7 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.19 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 31 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 32 W
通道模式: Enhancement
商標名: CoolMOS
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 8 ns
高度: 16.15 mm
長度: 10.65 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 15 ns
系列: CoolMOS CE
50
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 72 ns
典型接通延遲時間: 25 ns
寬度: 4.85 mm
零件號別名: IPA80R1K0CE SP001313392
單位重量: 2 g

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