IPB025N10N3G

• 發(fā)布時間：2021/11/1 11:35:06
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

IPB025N10N3G屬性

IPB025N10N3G描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-7
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 180 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 206 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 28 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 100 S
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 58 ns
系列: OptiMOS 3
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: OptiMOS 3 Power-Transistor
典型關(guān)閉延遲時間: 84 ns
典型接通延遲時間: 34 ns
寬度: 9.25 mm
零件號別名: SP000469888 IPB25N1N3GXT IPB025N10N3GATMA1
單位重量: 1.600 g

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