IRG4PH50SPBF
- 發(fā)布時間：2021/11/4 10:10:53
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市騰樁電子有限公司
IRG4PH50SPBF屬性
- IRG4PH50SPBF
- INFINEON
IRG4PH50SPBF描述
產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1.2 kV
集電極—射極飽和電壓: 1.75 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 57 A
Pd-功率耗散: 200 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tube
商標: Infineon / IR
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 33 A
柵極—射極漏泄電流: 100 nA
高度: 20.7 mm (Max)
長度: 15.87 mm (Max)
產(chǎn)品類型: IGBT Transistors
400
子類別: IGBTs
寬度: 5.31 mm (Max)
單位重量: 38 g
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公網(wǎng)安備44030402000607
