IRG4BC40WPBF

• 發(fā)布時(shí)間：2021/11/4 10:13:20
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

IRG4BC40WPBF屬性

IRG4BC40WPBF描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
封裝 / 箱體: TO-220-3
安裝風(fēng)格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V
集電極—射極飽和電壓: 2.5 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 40 A
Pd-功率耗散: 160 W
最小工作溫度: - 55 C
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon / IR
高度: 8.77 mm
長度: 10.54 mm
產(chǎn)品類型: IGBT Transistors
1000
子類別: IGBTs
寬度: 4.69 mm
單位重量: 6 g

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