SPB04N60C2

• 發(fā)布時間：2022/2/16 10:22:31
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

SPB04N60C2屬性

SPB04N60C2描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 7 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 950 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 53 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: SuperMESH
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 15 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 5.3 S
高度: 4.6 mm
長度: 10.4 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 17 ns
系列: STB9NK60Z
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
典型關(guān)閉延遲時間: 43 ns
典型接通延遲時間: 19 ns
寬度: 9.35 mm
單位重量: 4 g

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