SPB08P06PG

• 發(fā)布時(shí)間：2022/2/16 10:30:01
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰樁電子有限公司

SPB08P06PG屬性

SPB08P06PG描述

產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 8.8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 300 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 42 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: SIPMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 14 ns
高度: 4.4 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 46 ns
系列: SPB08P06
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 48 ns
典型接通延遲時(shí)間: 16 ns
寬度: 9.25 mm
零件號(hào)別名: SP000102179 SPB8P6PGXT SPB08P06PGATMA1
單位重量: 4 g

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