2N7002LT1G
- 發(fā)布時間：2022/4/25 14:26:05
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市騰浩偉業(yè)電子有限公司
2N7002LT1G屬性
- 0
- SOT23
- 0
- ON
2N7002LT1G描述
參數(shù)名稱 參數(shù)值
Source Content uid 2N7002LT1G
Brand Name ON Semiconductor
是否無鉛 不含鉛 不含鉛
生命周期 Active
Objectid 2000366759
零件包裝代碼 SOT-23
包裝說明 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
針數(shù) 3
制造商包裝代碼 318-08
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8541.21.00.95
Factory Lead Time 76 weeks
風險等級 0.55
Samacsys Description 2N7002LT1G, N-channel MOSFET Transistor 0.115 A 60 V, 3-Pin SOT-23
Samacsys Manufacturer onsemi
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 60 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 0.115 A
最大漏極電流 (ID) 0.115 A
最大漏源導通電阻 7.5 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss) 5 pF
JEDEC-95代碼 TO-236
JESD-30 代碼 R-PDSO-G3
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W
認證狀態(tài) Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 YES
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
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