BSS138LT1G

• 發(fā)布時(shí)間：2022/4/25 14:34:31
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰浩偉業(yè)電子有限公司

BSS138LT1G屬性

BSS138LT1G描述

參數(shù)名稱 參數(shù)值
Source Content uid BSS138LT1G
Brand Name ON Semiconductor
是否無鉛 不含鉛 不含鉛
生命周期 Active
Objectid 2014175881
零件包裝代碼 SOT-23
包裝說明 ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
針數(shù) 3
制造商包裝代碼 318-08
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 66 weeks
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 0.58
Samacsys Description MOSFET N-Channel 50V 0.2A SOT23 ON Semiconductor BSS138LT1G N-channel MOSFET Transistor, 0.2 A, 50 V, 3-Pin SOT-23
Samacsys Manufacturer onsemi
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 50 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 0.2 A
最大漏極電流 (ID) 0.2 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 3.5 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss) 5 pF
JEDEC-95代碼 TO-236
JESD-30 代碼 R-PDSO-G3
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級(jí) 1
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.225 W
認(rèn)證狀態(tài) Not Qualified
子類別 FET General Purpose Powers
表面貼裝 YES
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間 40
晶體管應(yīng)用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

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