SKiiP11NAB066V1

發(fā)布時(shí)間：2022/11/24 16:38:00
所屬類別：電力半導(dǎo)體器件 » IGBT模塊
公司：蘇州銀邦電子科技有限公司
聯(lián) 系人：19951158678

SKiiP11NAB066V1屬性

本站價(jià)格：
用途：各種設(shè)備
規(guī)格：0
市場(chǎng)價(jià)格：
生產(chǎn)廠家：西門康

SKiiP11NAB066V1描述

SKiiP11NAB066V1

品牌：西門康

電流：30A

電壓：600V

工作溫度(Max)：150℃

工作溫度(Min)：-40℃

安裝方式：螺絲型

包裝方式：標(biāo)準(zhǔn)封裝

貨期期：2天

庫(kù)存：910

發(fā)貨地：江蘇蘇州

IGBT的基本特性
1、靜態(tài)特性
　�。�1）輸出特性：是UGE一定時(shí)集電極電流Ic與集電極-發(fā)射極電壓UCE的函數(shù)關(guān)系，即Ic=f（UCE）。
　　IGBT的輸出特性。UGE=0的曲線對(duì)應(yīng)于IGBT處于斷態(tài)。在線性導(dǎo)電區(qū)I，UCE增大，Ic增大。在恒流飽和區(qū)Ⅱ，對(duì)于一定的UGE，UCE增大，IC不再隨UCE而增大。{{分頁(yè)}}
　　在UCE為負(fù)值的反壓下，其特性曲線類似于三極管的反向阻斷特性。
　　為了使IGBT安全運(yùn)行，它承受的外加壓、反向電壓應(yīng)小于正、反向折轉(zhuǎn)擊穿電壓。
　�。�2）轉(zhuǎn)移特性：（d）所示的集電極電流Ic與柵極電壓UGE的函數(shù)關(guān)系，即Ic=f(UGE)。
　　當(dāng)UGE小于開(kāi)啟閾值電壓UGE th時(shí)，等效MOSFET中不能形成導(dǎo)電溝道；因此IGBT處于斷態(tài)。當(dāng)UGE>UGE th后，隨著UGE的增大，Ic顯著上升。實(shí)際運(yùn)行中，外加電壓UGE的最大值UGEM一般不超過(guò)15V，以限制Ic 不超過(guò)IGBT管的允許值ICM。IGBT在額定電流時(shí)的通態(tài)壓降一般為1.5~3V。其通態(tài)壓降常在其電流較大（接近額定值）時(shí)具有正的溫度系數(shù)（Ic增大時(shí)，管壓降大）；因此在幾個(gè)IGBT并聯(lián)使用時(shí)IGBT器件具有電流自動(dòng)調(diào)節(jié)均流的能力，這就使多個(gè)IGBT易于并聯(lián)使用。
2、動(dòng)態(tài)特性
　 IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程。開(kāi)通過(guò)程的特性類似于MOSFET；因?yàn)樵谶@個(gè)區(qū)間，IGBT大部分時(shí)間作為MOSFET運(yùn)行。開(kāi)通時(shí)間由4個(gè)部分組成。開(kāi)通延遲時(shí)間td是外施柵極脈沖從負(fù)到正跳變開(kāi)始，到柵-射電壓充電到UGE th的時(shí)間。這以后集電極電流從0開(kāi)始上升，到90%穩(wěn)態(tài)值的時(shí)間為電流上升時(shí)間tri。在這兩個(gè)時(shí)間內(nèi)，集-射極間電壓UCE基本不變。此后，UCE開(kāi)始下降。下降時(shí)間tfu1是MOSFET工作時(shí)漏-源電壓下降時(shí)間tfu2是MOSFET和PNP晶體管同時(shí)工作時(shí)漏-源電壓下降時(shí)間；因此，IGBT開(kāi)通時(shí)間為 ton=td+tr+tfu1+tfu2。
　　開(kāi)通過(guò)程中，在td、tr時(shí)間內(nèi)，柵-射極間電容在外施正電壓作用下充電，且按指數(shù)規(guī)律上升，在tfu1、tfu2這一時(shí)間段內(nèi)MOSFET開(kāi)通，流過(guò)對(duì)GTR的驅(qū)動(dòng)電流，柵-射極電壓基本維持IGBT完全導(dǎo)通后驅(qū)動(dòng)過(guò)程結(jié)束。柵-射極電壓再次按指數(shù)規(guī)律上升到外施柵極電壓值。
　　IGBT關(guān)斷時(shí)，在外施柵極反向電壓作用下，MOSFET輸入電容放電，內(nèi)部PNP晶體管仍然導(dǎo)通，在最初階段里，關(guān)斷的延遲時(shí)間td和電壓UCE的上升時(shí)間tr，由IGBT中的MOSFET決定。關(guān)斷時(shí)IGBT和MOSFET的主要差別是電流波形分為tfi1和tfi2兩部分，其中，tfi1由MOSFET決定，對(duì)應(yīng)于MOSFET的關(guān)斷過(guò)程；tfi2由PNP晶體管中存儲(chǔ)電荷所決定。因?yàn)樵趖fi1末尾MOSFET已關(guān)斷，IGBT又無(wú)反向電壓，體內(nèi)的存儲(chǔ)電荷難以被迅速消除；所以漏極電流有較長(zhǎng)的下降時(shí)間。因?yàn)榇藭r(shí)漏源電壓已建立，過(guò)長(zhǎng)的下降時(shí)間會(huì)產(chǎn)生較大的功耗，使結(jié)溫增高；所以希望下降時(shí)間越短越好。
3、擎住效應(yīng)
　　(b)電路可以看到IGBT內(nèi)部的寄生三極管T2與輸出三極管T1等效于一個(gè)晶閘管。內(nèi)部體區(qū)電阻Rbr上的電壓降為一個(gè)正向偏壓加在寄生三極管T2的基極和發(fā)射極之間。當(dāng)IGBT處于截止?fàn)顟B(tài)和處于正常穩(wěn)定通態(tài)時(shí)（ic不超過(guò)允許值時(shí)），Rbr上的壓降都很小，不足以產(chǎn)生T2的基極電流，T2不起作用。但如果ic瞬時(shí)過(guò)大，Rbr上壓降過(guò)大，則可能使T2導(dǎo)通，而一旦T2導(dǎo)通，即使撤除門極電壓UGE，IGBT仍然會(huì)像晶閘管一樣處于通態(tài)，使門極G失去控制作用，這種現(xiàn)象稱為擎住效應(yīng)。在IGBT的設(shè)計(jì)制造時(shí)已盡可能地降低體區(qū)電阻Rbr，使IGBT的集電極電流在最大允許值ICM時(shí)，Rbr上的壓降仍小于T2管的起始導(dǎo)電所必需的正偏壓。但在實(shí)際工作中ic一旦過(guò)大，則可能出現(xiàn)擎住效應(yīng)。如果外電路不能限制ic的增長(zhǎng)，則可能損壞器件。{{分頁(yè)}}
　　除過(guò)大的ic可能產(chǎn)生擎住效應(yīng)外，當(dāng)IGBT處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，如果集電極電源電壓過(guò)高，使T1管漏電流過(guò)大，也可能在Rbr上產(chǎn)生過(guò)高的壓降，使T2導(dǎo)通而出現(xiàn)擎住效應(yīng)。
　　可能出現(xiàn)擎住效應(yīng)的第三個(gè)情況是：在關(guān)斷過(guò)程中，MOSFET的關(guān)斷十分迅速，MOSFET關(guān)斷后圖1(b)中三極管T2的J2結(jié)反偏電壓UBA增大，MOSFET關(guān)斷得越快，集電極電流ic減小得越快，則UCA=Es-R

西門康 SKiiP01NAC066V3
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