SKiiP12HEB066V1

• 發(fā)布時(shí)間：2022/11/24 16:44:13
• 所屬類別：電力半導(dǎo)體器件 » IGBT模塊
• 公    司：蘇州銀邦電子科技有限公司
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• 

SKiiP12HEB066V1屬性

SKiiP12HEB066V1描述

SKiiP12HEB066V1

品牌：西門(mén)康

電流：30A

電壓：1200V

工作溫度(Max)：150℃

工作溫度(Min)：-40℃

安裝方式：螺絲型

包裝方式：標(biāo)準(zhǔn)封裝

貨期期：2天

庫(kù)存：910

發(fā)貨地：江蘇蘇州

IGBT的基本特性
1、 靜態(tài)特性
　　（1） 輸出特性：是UGE一定時(shí)集電極電流Ic與集電極-發(fā)射極電壓UCE的函數(shù)關(guān)系，即Ic=f（UCE）。
　　IGBT的輸出特性。UGE=0的曲線對(duì)應(yīng)于IGBT處于斷態(tài)。在線性導(dǎo)電區(qū)I，UCE增大，Ic增大。在恒流飽和區(qū)Ⅱ，對(duì)于一定的UGE，UCE增大，IC不再隨UCE而增大。{{分頁(yè)}}
　　在UCE為負(fù)值的反壓下，其特性曲線類似于三極管的反向阻斷特性。
　　為了使IGBT安全運(yùn)行，它承受的外加壓、反向電壓應(yīng)小于正、反向折轉(zhuǎn)擊穿電壓。
　�。�2） 轉(zhuǎn)移特性：（d）所示的集電極電流Ic與柵極電壓UGE的函數(shù)關(guān)系，即Ic=f(UGE)。
　　當(dāng)UGE小于開(kāi)啟閾值電壓UGE th時(shí)，等效MOSFET中不能形成導(dǎo)電溝道；因此IGBT處于斷態(tài)。當(dāng)UGE>UGE th后，隨著UGE的增大，Ic顯著上升。實(shí)際運(yùn)行中，外加電壓UGE的最大值UGEM一般不超過(guò)15V，以限制Ic 不超過(guò)IGBT管的允許值ICM。IGBT在額定電流時(shí)的通態(tài)壓降一般為1.5~3V。其通態(tài)壓降常在其電流較大（接近額定值）時(shí)具有正的溫度系數(shù)（Ic增大時(shí)，管壓降大）；因此在幾個(gè)IGBT并聯(lián)使用時(shí)IGBT器件具有電流自動(dòng)調(diào)節(jié)均流的能力，這就使多個(gè)IGBT易于并聯(lián)使用。
2、 動(dòng)態(tài)特性
　 IGBT的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程。開(kāi)通過(guò)程的特性類似于MOSFET；因?yàn)樵谶@個(gè)區(qū)間，IGBT大部分時(shí)間作為MOSFET運(yùn)行。開(kāi)通時(shí)間由4個(gè)部分組成。開(kāi)通延遲時(shí)間td是外施柵極脈沖從負(fù)到正跳變開(kāi)始，到柵-射電壓充電到UGE th的時(shí)間。這以后集電極電流從0開(kāi)始上升，到90%穩(wěn)態(tài)值的時(shí)間為電流上升時(shí)間tri。在這兩個(gè)時(shí)間內(nèi)，集-射極間電壓UCE基本不變。此后，UCE開(kāi)始下降。下降時(shí)間tfu1是MOSFET工作時(shí)漏-源電壓下降時(shí)間tfu2是MOSFET和PNP晶體管同時(shí)工作時(shí)漏-源電壓下降時(shí)間；因此，IGBT開(kāi)通時(shí)間為 ton=td+tr+tfu1+tfu2。
　　開(kāi)通過(guò)程中，在td、tr時(shí)間內(nèi)，柵-射極間電容在外施正電壓作用下充電，且按指數(shù)規(guī)律上升，在tfu1、tfu2這一時(shí)間段內(nèi)MOSFET開(kāi)通，流過(guò)對(duì)GTR的驅(qū)動(dòng)電流，柵-射極電壓基本維持IGBT完全導(dǎo)通后驅(qū)動(dòng)過(guò)程結(jié)束。柵-射極電壓再次按指數(shù)規(guī)律上升到外施柵極電壓值。
　　IGBT關(guān)斷時(shí)，在外施柵極反向電壓作用下，MOSFET輸入電容放電，內(nèi)部PNP晶體管仍然導(dǎo)通，在最初階段里，關(guān)斷的延遲時(shí)間td和電壓UCE的上升時(shí)間tr，由IGBT中的MOSFET決定。關(guān)斷時(shí)IGBT和MOSFET的主要差別是電流波形分為tfi1和tfi2兩部分，其中，tfi1由MOSFET決定，對(duì)應(yīng)于MOSFET的關(guān)斷過(guò)程；tfi2由PNP晶體管中存儲(chǔ)電荷所決定。因?yàn)樵趖fi1末尾MOSFET已關(guān)斷，IGBT又無(wú)反向電壓，體內(nèi)的存儲(chǔ)電荷難以被迅速消除；所以漏極電流有較長(zhǎng)的下降時(shí)間。因?yàn)榇藭r(shí)漏源電壓已建立，過(guò)長(zhǎng)的下降時(shí)間會(huì)產(chǎn)生較大的功耗，使結(jié)溫增高；所以希望下降時(shí)間越短越好。
3、 擎住效應(yīng)
　　(b)電路可以看到IGBT內(nèi)部的寄生三極管T2與輸出三極管T1等效于一個(gè)晶閘管。內(nèi)部體區(qū)電阻Rbr上的電壓降為一個(gè)正向偏壓加在寄生三極管T2的基極和發(fā)射極之間。當(dāng)IGBT處于截止?fàn)顟B(tài)和處于正常穩(wěn)定通態(tài)時(shí)（ic不超過(guò)允許值時(shí)），Rbr上的壓降都很小，不足以產(chǎn)生T2的基極電流，T2不起作用。但如果ic瞬時(shí)過(guò)大，Rbr上壓降過(guò)大，則可能使T2導(dǎo)通，而一旦T2導(dǎo)通，即使撤除門(mén)極電壓UGE，IGBT仍然會(huì)像晶閘管一樣處于通態(tài)，使門(mén)極G失去控制作用，這種現(xiàn)象稱為擎住效應(yīng)。在IGBT的設(shè)計(jì)制造時(shí)已盡可能地降低體區(qū)電阻Rbr，使IGBT的集電極電流在最大允許值ICM時(shí)，Rbr上的壓降仍小于T2管的起始導(dǎo)電所必需的正偏壓。但在實(shí)際工作中ic一旦過(guò)大，則可能出現(xiàn)擎住效應(yīng)。如果外電路不能限制ic的增長(zhǎng)，則可能損壞器件。{{分頁(yè)}}
　　除過(guò)大的ic可能產(chǎn)生擎住效應(yīng)外，當(dāng)IGBT處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，如果集電極電源電壓過(guò)高，使T1管漏電流過(guò)大，也可能在Rbr上產(chǎn)生過(guò)高的壓降，使T2導(dǎo)通而出現(xiàn)擎住效應(yīng)。
　　可能出現(xiàn)擎住效應(yīng)的第三個(gè)情況是：在關(guān)斷過(guò)程中，MOSFET的關(guān)斷十分迅速，MOSFET關(guān)斷后圖1(b)中三極管T2的J2結(jié)反偏電壓UBA增大，MOSFET關(guān)斷得越快，集電極電流ic減小得越快，則UCA=Es-R

西門(mén)康 SKiiP01NAC066V3
西門(mén)康 SKiiP01NEB066V3
西門(mén)康 SKiiP01NEC066V3
西門(mén)康 SKiiP02AC066V1
西門(mén)康 SKiiP02NAC066V3
西門(mén)康 SKiiP02NAC12T4V1
西門(mén)康 SKiiP02NEB066V3
西門(mén)康 SKiiP02NEC066V3
西門(mén)康 SKiiP03NEC066V3
西門(mén)康 SKiiP04AC066V1
西門(mén)康 SKiiP04ACB066V1
西門(mén)康 SKiiP10NAB12T4V1
西門(mén)康 SKiiP11AC126V1
西門(mén)康 SKiiP11AC126V10
西門(mén)康 SKiiP11AC12T4V1
西門(mén)康 SKiiP11HEB066V1
西門(mén)康 SKiiP11NAB065V1
西門(mén)康 SKiiP11NAB066V1
西門(mén)康 SKiiP11NAB126V1
西門(mén)康 SKiiP11NAB12T4V1
西門(mén)康 SKiiP12AC126V1
西門(mén)康 SKiiP12AC12T4V1
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西門(mén)康 SKiiP12NAB065V1
西門(mén)康 SKiiP12NAB066V1
西門(mén)康 SKiiP12NAB126V1
西門(mén)康 SKiiP12NAB126V20
西門(mén)康 SKiiP12NAB12T4V1
西門(mén)康 SKiiP13AC126V1
西門(mén)康 SKiiP13AC126V20
西門(mén)康 SKiiP13AC12T4V1
西門(mén)康 SKiiP13NAB065V1
西門(mén)康 SKiiP13NAB066V1
西門(mén)康 SKiiP14AC065V1
西門(mén)康 SKiiP14NAB065V1
西門(mén)康 SKiiP14NAB066V1
西門(mén)康 SKiiP15AC065V1
西門(mén)康 SKiiP15AC066V1
西門(mén)康 SKiiP16GH066V1
西門(mén)康 SKiiP20NAB12IT38
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西門(mén)康 SKiiP22NAB12IT45
西門(mén)康 SKiiP22NAB12T17
西門(mén)康 SKiiP22NAB12T18
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西門(mén)康 SKiiP23AC12T4V1
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西門(mén)康 SKiiP23NAB126V1
西門(mén)康 SKiiP23NAB126V10
西門(mén)康 SKiiP23NAB126V20
西門(mén)康 SKiiP23NAB12T4V1
西門(mén)康 SKiiP23NAB12T4V10
西門(mén)康 SKiiP03AC066V1
西門(mén)康 SKiiP03NAC066V3
西門(mén)康 SKiiP03NAC126V1
西門(mén)康 SKiiP03NAC12T4V1
西門(mén)康 SKiiP03NEB066V3
西門(mén)康 SKiiP24AC126V1
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西門(mén)康 SKiiP24EVI10
西門(mén)康 SKiiP24GB07E3V1
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西門(mén)康 SKiiP24NAB126V10
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