NTMFD5C680NLT1G

• 發(fā)布時間：2023/2/13 15:55:36
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市騰浩偉業(yè)電子有限公司

NTMFD5C680NLT1G屬性

NTMFD5C680NLT1G描述

類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管
FET，MOSFET
FET、MOSFET 陣列
制造商
onsemi
系列
-
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
配置
2 N-通道（雙）
FET 功能
-
漏源電壓（Vdss）
60V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
7.5A（Ta），26A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
28 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 13μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
5nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
350pF @ 25V
功率 - 最大值
3W（Ta），19W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應(yīng)商器件封裝
8-DFN（5x6）雙標(biāo)記（SO8FL-雙通道）

NTMFD5C680NLT1G相關(guān)產(chǎn)品

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原裝正品現(xiàn)貨

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原裝正品現(xiàn)貨

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